SK海力士美股“首秀”来了。
北京时间7月10日晚间，SK海力士美国存托凭证（ADR）盘前报价180美元/ADR，相较于发行价（149美元/ADR）大涨约21%。SK海力士此次发行规模达265亿美元，创下外国公司赴美上市融资规模的新纪录，所募资金预计将用于支持其持续攀升的资本支出计划，以应对AI（人工智能）的旺盛需求。
受此影响，美股存储概念股全线拉升，截至北京时间22:00，希捷科技涨超2%，西部数据涨超1%，闪迪抹去盘初跌幅转涨，美光科技跌幅收窄至1%，此前一度大跌超3%。
SK海力士美股“首秀”
北京时间7月10日晚间，韩国存储芯片巨头SK海力士正式登陆纳斯达克，SK海力士ADR预示开盘价或为180美元/股，发行价为149美元/ADR。
根据安排，周五盘中以临时代码SKHYV开展预发行交易，下周一正式切换常规代码SKHY。
本次发行价定为149美元/ADR，较定价时韩国普通股折算价值高约3%，发行规模约1.779亿份ADR，融资约265亿美元。每10份ADR对应1股韩国普通股，初始ADR规模约占公司总股本2.5%。
根据华尔街机构的观点，SK海力士ADR相较韩股普通股存在溢价的主要原因包括：
1.美股初始流通筹码有限，本次发售股份仅占公司总市值不到3%，且韩国普通股转换为ADR存在一定流程约束，短期内套利供给可能不足；
2.美国投资者对于美元计价资产、美股交易时段以及ETF、期权等衍生品工具接受度更高，有望带来新增资金需求；
3.若存储周期继续维持强势、SK海力士ADR被纳入美国指数或交易所交易基金（ETF），溢价存在进一步扩大的空间。
从公司基本面来看，SK海力士相较于美光科技的优势可以用一句话概括：规模更大、估值更低，而且与全球AI总龙头英伟达的关系更紧密。
另外，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域占据主导地位。HBM是用于AI服务器的先进硬件。据Counterpoint Research数据，今年第一季度，SK海力士拿下了58%的HBM市场份额，而美光和三星各占21%。
Mahoney资产管理公司首席执行官肯·马奥尼表示，SK海力士在生产规模和技术成熟度上占据优势。
根据FactSet的数据，海力士的估值仍比美光科技更便宜：其预期市盈率为5.4倍，而美光科技为6.7倍，且市场预期SK海力士今年的营收和盈利增速将高于美光科技。
因此，美国投资者或将部分折价视为入场机会，从而推高SK海力士ADR相对韩股普通股的溢价。
后续SK海力士ADR的走势将面临以下4个关键催化：
1.上市后约两个交易日期权交易可能开放，将进一步丰富交易工具，但尚待交易所确认；
2.7月13日前后，杠杆ETF上线可能提升成交活跃度；
3.7月29日新增普通股在韩国上市后，ADR转换机制更加完整；
4. 9月若符合IPO快速纳入条件，可能进入半导体相关指数。未来纳入半导体ETF，可能带来被动资金配置。
未来的风险点
短期看，SK海力士赴美上市后的交易重点是观察ADR相对韩国股价的溢价水平；中期看，市场更关注AI时代下，SK海力士能否凭借HBM龙头地位获得接近美股半导体公司的估值体系。
尽管目前AI需求强劲，但存储行业固有的周期性仍是投资者需要权衡的风险变量。
晨星分析师Jing Jie Yu警告称，随着大规模供应将在2027年和2028年逐步恢复，存储市场供需关系应该会得到极大改善，从而削弱存储器厂商的定价权，并可能带来周期性转变。
事实上，SK海力士此次美国存托凭证的发行计划正是为两个关键扩产项目提供资金：SK海力士已经宣布，此次募资将全部用于龙仁晶圆厂与美国封装基地建设。
Jing Jie Yu表示，上述两大项目中，其中一个将在2027年上半年投产，仅这一个晶圆厂就能使SK海力士的总产能到2030年比现在提升约60%。
他表示，“我们的基本预期是，即将投产的龙仁晶圆厂，加上未来两年三星电子、美光科技以及中国厂商的产能扩张，将显著改善供需关系。这可能会削弱存储器厂商的定价权。”
他警告称，这甚至可能会导致整个行业进入周期性低迷期。
投资机构Futurum Equities首席市场策略师Shay Boloor表示，SK海力士是“HBM稀缺持续超预期的最大受益者”，但若内存周期最终反转，其下行风险同样不容忽视——而这一反转可能最早要到2028年才会出现。
REX Financial董事总经理Bill Birmingham则建议投资者重点关注2027年的合同定价走势，以判断需求的持续性。
排版：刘珺宇
校对：许欣
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